IGBT(绝缘栅双极型晶体管)是一种 电压驱动的全控型功率半导体器件,它结合了MOSFET的高输入阻抗和GTR(双极型三极管)的低导通压降的优点。IGBT的基本结构包括N型绝缘栅、P型底座、N+型导通层和P+型阻挡层。通过控制栅极电压来实现器件的导通和截止。导通阶段当栅极施加正向电压时,形成沟道,给
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